半導体メモリー専業大手のエルピーダメモリは２４日、パソコンなどに使われるＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）の製造で、回路線幅７０ナノ（１ナノは１０億分の１）メートルの最先端製造設備による生産を年内に当初計画の３倍に拡大する方針を明らかにした。

　基幹生産子会社の広島エルピーダメモリ（広島県東広島市）で、今年１２月に予定していた月産２万枚（３００ミリウエハー換算）を同６万枚に引き上げる。

　従来の主力である回路線幅９０ナノメートルの設備から、より生産効率の高い最先端設備へ生産体制の切り替えを早めることでコスト競争力を一層高める狙い。
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ウエハー当たりの生産個数は、９０ナノ設備から７０ナノへの転換により単純計算で約６割増え、生産コストを低減できる。

　これにより、薄型テレビやデジタルカメラなど需要が堅調な新規分野のデジタルＡＶ（音響・映像）向け製品の生産体制を９０ナノから早期に７０ナノに転換。コスト削減で収益性を維持しながらシェア拡大を図る戦略で、来年３月には生産規模をさらに６万５０００枚に増やす。

　エルピーダは、ＮＥＣと日立製作所のＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）事業を統合し１９９９年に発足。当初はコスト競争力の低下で、市場シェアの縮小と赤字に苦しんでいたが、投資効率の改善で最近は競争力が回復している...

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（引用 yahooニュース：http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20070425-00000010-fsi-ind）






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